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SiLM27517H

单通道（dào） 20V, 4A/5A 高欠（qiàn）压保（bǎo）护（hù）低边门极驱动器

样片申请

SiLM27517H-AQ Datasheet SiLM27517H Datasheet

产（chǎn）品概述（shù）

产品特性

安规认证

典型应用图

产品概（gài）述

SiLM27517H 系列是（shì）单通道高欠压保护低边（biān）门（mén）极驱动（dòng）器，可有效驱动（dòng）MOSFET和IGBT等（děng）功率开关。SiLM27517H 采用一种能（néng）够（gòu）从内部极大的（de）降低（dī）直通电流的设计，将高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以实现（xiàn）轨（guǐ）到轨的驱动能力（lì）和（hé）典型值仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。

SiLM27517H 在 15V 的 VDD 供电情况下，能够提供 4A 的峰值源电（diàn）流和（hé） 5A 的峰（fēng）值灌电流。SiLM27517H 欠压锁（suǒ）定保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成本的门（mén）极驱动（dòng）方案（àn）可用于替（tì）代 NPN和（hé） PNP 分离器件（jiàn）方案

4A的峰值源电流和 5A 的峰值灌（guàn）电流能力

快速的（de）传播延时（shí）（典型值为 18ns）

快（kuài）速（sù）的上升（shēng）和下降时间（典型值为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单（dān）电（diàn）源范围

SiLM27517H 欠（qiàn）压锁（suǒ）定保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的（de）输（shū）入逻辑（jí）电压阈值

双输入设计(可选择反相或非（fēi）反相驱动配（pèi）置)

输（shū）入（rù）浮空时输出保持为低

工（gōng）作温度范围为 -40°C 到 140°C