SLM27511器件是单通道高（gāo）速低边门极驱动器，可（kě）有（yǒu）效驱动MOSFET和（hé）IGBT等功率开关。SLM27511采（cǎi）用（yòng）一种能够从内部极（jí）大的降低直（zhí）通电流（liú）的设计，将（jiāng）高峰值的（de）源电流和灌（guàn）电（diàn）流脉（mò）冲提供给电容（róng）负（fù）载（zǎi），以实现轨到轨（guǐ）的驱动能力（lì）和典（diǎn）型值（zhí）仅为 18ns 的极小传播延迟。
SLM27511在（zài）12V的VDD供电情况下，能够提供4A的峰值源电流和5A的峰值灌电流。
低成（chéng）本（běn）的门极驱动方案（àn）可用于替代 NPN和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流和5A的峰值灌电流能力
快速的传（chuán）输延时（shí）（典（diǎn）型值为 18ns）
快速的（de）上升（shēng）和下降时间（典型（xíng）值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电（diàn）源范围
VDD 欠压闭（bì）锁功（gōng）能
兼容（róng） TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻（luó）辑（jí）电压阈值
双输入设计(可选择（zé）反相或非反（fǎn）相驱动配置)
输入浮空时输出保持为低
工作温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装选项（xiàng）
400 080 9938
