SLM21867是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器，它提（tí）供独立的高边、低边输出驱动信号（hào）。采用专有（yǒu）的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片（piàn）驱动方案。逻（luó）辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持（chí）3.3V逻辑。输（shū）出驱动器具有高脉冲电流缓（huǎn）冲（chōng）级，以减小驱（qū）动器交叉导通。延时匹配很方便应用于高频设（shè）备。浮动（dòng）通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率（lǜ）MOSFET或IGBT，工（gōng）作电压可（kě）高达600V。
为自（zì）举（jǔ）供（gòng）电设计的浮动通道
全电（diàn）压范（fàn）围运行达600V
低VCC工作范（fàn）围
允（yǔn）许瞬态负（fù）电压，不（bú）受dV/dt影响
驱动电源范围从7V到20V
欠压（yā）闭锁
3.3V、5V逻辑兼容
输入有下拉电阻的COMS斯密特触发器
两（liǎng）通道间匹配（pèi）传输延时
输入输（shū）出（chū）同相
典型开通/关（guān）断延时：170ns/170ns
典型驱动电流：2.5A/3.5A
400 080 9938
