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SLM2009

200V低压驱动芯片

样片申请

SLM2009 Datasheet

产品（pǐn）概述

产品特性

安（ān）规认证（zhèng）

典（diǎn）型应（yīng）用图

产品（pǐn）概述

SLM2009 是一款高压、高速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱动器（qì）。采用专有（yǒu）的高（gāo）压集（jí）成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可（kě）提供可靠的单芯（xīn）片驱动方案。逻辑输（shū）入电平与（yǔ）标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低（dī）支持3.3V逻辑（jí）。输出驱动（dòng）器具有高脉（mò）冲电流缓冲级，以（yǐ）减小驱动（dòng）器交叉导（dǎo）通。浮动通道可用于驱动高边配置（zhì）的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压（yā）可高达200V。

产（chǎn）品特（tè）性

为自举（jǔ）操作（zuò）设（shè）计的浮动通道

完全运行（háng）时电压高达 200V

容（róng）许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止（zhǐ）交叉导通逻（luó）辑

两通道间匹配传输（shū）延迟

输出信号与（yǔ）输入（rù）信号同相

通过无铅认证