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SLM2003E

200V低压驱动芯片（piàn）

样片申请

SLM2003E Datasheet

产品概述

产品特性

安规（guī）认证

典（diǎn）型应用图

产（chǎn）品概述

SLM2003E 是一（yī）款高（gāo）压、高速的（de）功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专（zhuān）有的高压集成电（diàn）路和锁存（cún）免疫的CMOS技术可提（tí）供可靠的单芯片驱（qū）动方案。逻辑（jí）输入电平与标准CMOS或（huò）LSTTL输出（chū）兼（jiān）容，最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有（yǒu）高脉冲（chōng）电流（liú）缓冲级，以减（jiǎn）小（xiǎo）驱动（dòng）器交叉导通。浮动通（tōng）道可用于驱动高边配置的N型（xíng）沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性

为自举（jǔ）操作（zuò）设计的浮动通道

完全运（yùn）行时电压高达 200V

容许瞬间（jiān）负电（diàn）压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

驱动电源范围（wéi）从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 和 10V 逻辑输入兼容

驱动电（diàn）流：290 mA/600 mA

防止交叉导通逻辑

两（liǎng）通（tōng）道间匹配传输延迟（chí）

输出信号（hào）与（yǔ）输入信（xìn）号同相

通过无铅认证